RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
66
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.1
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.9
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
40
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2031
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link