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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
66
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.1
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.9
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
40
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
9.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2031
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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