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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
66
En -136% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2663
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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