RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
66
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2663
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link