RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
17.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
33
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
31
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2762
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link