RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Micron Technology 16G3200CL22 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
66
Около -136% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
14.0
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2663
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.AU10C 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link