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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
66
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
39
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
3000
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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