RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
66
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
39
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3000
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link