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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
66
Intorno -69% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
39
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
3000
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
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