RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
66
En -154% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
26
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2594
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lenovo 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link