RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
66
左右 -154% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
26
读取速度,GB/s
2,775.5
13.7
写入速度,GB/s
1,557.9
10.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2594
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link