RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
66
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2594
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lenovo 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link