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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
66
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
48
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2466
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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