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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
66
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
39
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2159
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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