RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
66
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
39
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2159
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link