RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
66
Autour de -69% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
39
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2159
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link