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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
73
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
2,061.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
73
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
1468
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
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