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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
73
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.0
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
73
读取速度,GB/s
4,937.3
13.4
写入速度,GB/s
2,061.2
7.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
1468
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
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