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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16HTF25664HZ-800E1 2GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 16HTF25664HZ-800E1 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16HTF25664HZ-800E1 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
53
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
1,618.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16HTF25664HZ-800E1 2GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16HTF25664HZ-800E1 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
46
53
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
3,960.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
1,618.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
6400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
610
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 16HTF25664HZ-800E1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16HTF25664HZ-800E1 2GB
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Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
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