RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
46
En -18% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
39
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2782
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link