RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
46
Около -18% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
39
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2782
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link