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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
78
En 41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.4
2,061.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
78
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
1584
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
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