RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
78
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
78
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1584
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link