RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
83
En 45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
2,061.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
83
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
1774
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link