RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
75
En -168% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
28
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
3463
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link