RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
56
En -133% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
4069
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link