RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Compara
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
49
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.4
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
5.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
49
27
Velocidad de lectura, GB/s
8.2
12.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1223
2084
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link