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AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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AMD AE34G1601U1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Puntuación global
AMD AE34G1601U1 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD AE34G1601U1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
67
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
67
37
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
998
2213
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM3X1G1333C9 1GB
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