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AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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AMD AE34G2139U2 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Puntuación global
AMD AE34G2139U2 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD AE34G2139U2 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
55
56
En -2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.3
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
55
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1462
2078
AMD AE34G2139U2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R938G2130U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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