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AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
58
73
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
58
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
1968
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
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Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
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