RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Сравнить
AMD R5316G1609U2K 8GB против SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
-->
Средняя оценка
AMD R5316G1609U2K 8GB
Средняя оценка
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
73
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
6.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
58
Скорость чтения, Гб/сек
6.3
17.7
Скорость записи, Гб/сек
5.2
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1309
1968
AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link