RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Compara
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
22
En 14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
9.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
22
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
2611
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Informar de un error
×
Bug description
Source link