RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
22
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
22
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
2611
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link