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AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
22
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
22
读取速度,GB/s
18.4
15.9
写入速度,GB/s
12.3
9.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
2611
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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Kingston HX316C10F/8 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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