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AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Compara
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
27
En 30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
27
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
9.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
1767
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Mushkin 991586 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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