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AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
27
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
27
读取速度,GB/s
18.4
9.7
写入速度,GB/s
12.3
6.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
1767
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
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