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AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Compara
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Puntuación global
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En -12% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
33
Velocidad de lectura, GB/s
15.4
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2581
2524
AMD R5S38G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
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