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AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
15.4
15.0
写入速度,GB/s
9.2
8.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2524
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
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