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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2297
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
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