RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2297
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link