RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Compara
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Puntuación global
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
31
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
3318
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link