RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
6.7
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
3318
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Сравнения RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kllisre 0000 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link