RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3318
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link