RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3318
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link