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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Compara
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Puntuación global
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
49
En 45% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
49
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
2534
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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