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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Confronto
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Punteggio complessivo
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
49
Intorno 45% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
6.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
49
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
6.7
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2045
2534
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Confronto tra le RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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