RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
49
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2534
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link