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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Compara
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
54
En -125% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
1,973.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,967.4
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,973.5
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
776
2925
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
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