RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
54
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,973.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,967.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,973.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
776
2925
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB Сравнения RAM
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link