Comparación de la memoria RAM Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Puntuación global

Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

24 30

En -25% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.5 12.0

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 17000

En 1.13 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2190 2925

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns