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Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
30
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
24
Velocidade de leitura, GB/s
17.3
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
12.5
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2190
2925
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB Comparações de RAM
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Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
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Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
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Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
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